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STTH512B

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Référence STTH512B
Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE GEN PURP 1.2KV 5A DPAK
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
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Référence STTH512B Fabricant STMicroelectronics
La description DIODE GEN PURP 1.2KV 5A DPAK État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 5018 pcs Fiche technique STTH512
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Inverse de crête (max) Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 5A Tension - Ventilation D-Pak
Séries - État RoHS Tube
Temps de recouvrement inverse (trr) Fast Recovery = 200mA (Io) Résistance @ Si, F -
Polarisation TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Température d'utilisation - Jonction 95ns
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 Hours)
Référence fabricant STTH512B Description élargie Diode Standard 1200V (1.2kV) 5A Surface Mount D-Pak
Configuration diode 5µA @ 1200V La description DIODE GEN PURP 1.2KV 5A DPAK
Courant - fuite, inverse à Vr 2.2V @ 5A Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 1200V (1.2kV)
Capacité à Vr, F 175°C (Max)

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