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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > 2N6515RLRMG

2N6515RLRMG

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Référence 2N6515RLRMG
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description TRANS NPN 250V 0.5A TO-92
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 5080 pcs
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Référence 2N6515RLRMG Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description TRANS NPN 250V 0.5A TO-92 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 5080 pcs Fiche technique 2N6515, 6517, 6520
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 250V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 5mA, 50mA Transistor Type NPN
Package composant fournisseur TO-92-3 Séries -
Puissance - Max 625mW Emballage Tape & Box (TB)
Package / Boîte TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Fréquence - Transition 200MHz
Description détaillée Bipolar (BJT) Transistor NPN 250V 500mA 200MHz 625mW Through Hole TO-92-3 Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 45 @ 50mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 50nA (ICBO) Courant - Collecteur (Ic) (max) 500mA
Numéro de pièce de base 2N6515

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