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2N7002

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Référence 2N7002
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 1278329 pcs
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Référence 2N7002 Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 1278329 pcs Fiche technique 2N7000/02, NDS7002A DatasheetMolded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur SOT-23 (TO-236AB) Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5 Ohm @ 500mA, 10V Dissipation de puissance (max) 200mW (Ta)
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms 2N7002N
2N7002NTR
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 25V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V Tension drain-source (Vdss) 60V
Description détaillée N-Channel 60V 115mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SOT-23 (TO-236AB) Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 115mA (Ta)
Numéro de pièce de base 2N7002

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