2SD1816T-E
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| Référence | 2SD1816T-E |
|---|---|
| Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| La description | TRANS NPN 100V 4A TP |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.126 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | 2SD1816T-E | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS NPN 100V 4A TP | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 177724 pcs | Fiche technique | 2SB1216/2SD1816 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 100V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 200mA, 2A | Transistor Type | NPN |
| Package composant fournisseur | TP | Séries | - |
| Puissance - Max | 1W | Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | Autres noms | 2SD1816T-E-ND 2SD1816T-EOS |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition | 180MHz | Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 4A 180MHz 1W Through Hole TP |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA, 5V | Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max) | 4A | Numéro de pièce de base | 2SD1816 |
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- Partie#:
RP102PJ102CS - Fabricant:
Samsung Electro-Mechanics America, Inc. - La description:
RES ARRAY 2 RES 1K OHM 0404 - En stock:
6806618