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30C02MH-TL-E

30C02MH-TL-E
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Référence 30C02MH-TL-E
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description TRANS NPN 30V 0.7A MCPH3
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 526105 pcs
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Référence 30C02MH-TL-E Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description TRANS NPN 30V 0.7A MCPH3 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 526105 pcs Fiche technique 30C02MH
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 190mV @ 10mA, 200mA Transistor Type NPN
Package composant fournisseur 3-MCPH Séries -
Puissance - Max 600mW Emballage Cut Tape (CT)
Package / Boîte SC-70, SOT-323 Autres noms 30C02MH-TL-EOSCT
Température de fonctionnement 150°C (TJ) Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 6 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Fréquence - Transition 540MHz
Description détaillée Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 700mA 540MHz 600mW Surface Mount 3-MCPH Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 300 @ 50mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA (ICBO) Courant - Collecteur (Ic) (max) 700mA

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