5HN01M-TL-E
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| Référence | 5HN01M-TL-E |
|---|---|
| Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| La description | MOSFET N-CH 50V 0.1A MCP3 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | 5HN01M-TL-E | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 50V 0.1A MCP3 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4372 pcs | Fiche technique | 5HN01M |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | 3-MCP | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5 Ohm @ 50mA, 10V | Dissipation de puissance (max) | 150mW (Ta) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | SC-70, SOT-323 |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6.2pF @ 10V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 1.4nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4V, 10V | Tension drain-source (Vdss) | 50V |
| Description détaillée | N-Channel 50V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount 3-MCP | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 100mA (Ta) |
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