ATP101-TL-HX
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| Référence | ATP101-TL-HX |
|---|---|
| Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| La description | MOSFET P-CH DPAK |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
Product parameter
| Référence | ATP101-TL-HX | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET P-CH DPAK | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 5125 pcs | Fiche technique | |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | ATPAK | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 13A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 30W (Tc) |
| Package / Boîte | ATPAK (2 leads+tab) | Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 875pF @ 10V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 18.5nC @ 10V | type de FET | P-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V | Description détaillée | P-Channel 30V 25A (Ta) 30W (Tc) Surface Mount ATPAK |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 25A (Ta) |
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