BC182B_J35Z
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| Référence | BC182B_J35Z |
|---|---|
| Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| La description | TRANS NPN 50V 0.1A TO-92 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | BC182B_J35Z | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS NPN 50V 0.1A TO-92 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 5142 pcs | Fiche technique | BC182B |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA | Transistor Type | NPN |
| Package composant fournisseur | TO-92-3 | Séries | - |
| Puissance - Max | 350mW | Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Fréquence - Transition | 150MHz |
| Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 100mA 150MHz 350mW Through Hole TO-92-3 | Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 10µA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) | Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
| Numéro de pièce de base | BC182 |
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