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FCB20N60F-F085

FCB20N60F-F085
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Référence FCB20N60F-F085
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description MOSFET N CH 600V 20A TO-263AB
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 22415 pcs
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Référence FCB20N60F-F085 Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description MOSFET N CH 600V 20A TO-263AB État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 22415 pcs Fiche technique FCB20N60F_F085
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±30V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur TO-263AB Séries Automotive, AEC-Q101, SuperFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 195 mOhm @ 20A, 10V Dissipation de puissance (max) 405W (Tc)
Emballage Original-Reel® Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Autres noms FCB20N60F-F085DKR
FCB20N60F_F085DKR
FCB20N60F_F085DKR-ND
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2035pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 102nC @ 10V type de FET N-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Tension drain-source (Vdss) 600V Description détaillée N-Channel 600V 20A (Tc) 405W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Tc) Numéro de pièce de base FCB20N60

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