FCH22N60N
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| Référence | FCH22N60N |
|---|---|
| Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| La description | MOSFET N-CH 600V 22A TO-247 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 10 pcs | 450 pcs | 900 pcs | 1350 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.905 | $1.70 | $1.258 | $1.02 | $0.952 | |
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | FCH22N60N | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 600V 22A TO-247 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 35846 pcs | Fiche technique | FCH22N60N |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-247-3 | Séries | SupreMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165 mOhm @ 11A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 205W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-247-3 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1950pF @ 100V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 600V |
| Description détaillée | N-Channel 600V 22A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-247-3 | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 22A (Tc) |
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- Partie#:
1206Y0630152JXR - Fabricant:
Knowles Syfer - La description:
CAP CER 1500PF 63V X7R 1206 - En stock:
252010