FCMT099N65S3
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| Référence | FCMT099N65S3 |
|---|---|
| Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| La description | MOSFET N-CH 650V 30A POWER88 |
| État sans plomb / État RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.024 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | FCMT099N65S3 | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 650V 30A POWER88 | État sans plomb / État RoHS | |
| Quantité disponible | 30236 pcs | Fiche technique | FCMT099N65S3 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 3mA |
| Vgs (Max) | ±30V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | Power88 | Séries | SuperFET® III |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 15A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 227W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | 4-PowerTSFN |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2270pF @ 400V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 650V |
| Description détaillée | N-Channel 650V 30A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount Power88 | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 30A (Tc) |
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