FDM3622
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| Référence | FDM3622 |
|---|---|
| Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| La description | MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.245 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | FDM3622 | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 84827 pcs | Fiche technique | FDM3622 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | 8-MLP (3.3x3.3) | Séries | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 4.4A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 2.1W (Ta) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | 8-PowerWDFN |
| Autres noms | FDM3622-ND FDM3622TR |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 6 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1090pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 6V, 10V | Tension drain-source (Vdss) | 100V |
| Description détaillée | N-Channel 100V 4.4A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3) | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 4.4A (Ta) |
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