FDMA2002NZ
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| Référence | FDMA2002NZ |
|---|---|
| Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| La description | MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6-MICROFET |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.095 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | FDMA2002NZ | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6-MICROFET | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 213375 pcs | Fiche technique | FDMA2002NZ |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Package composant fournisseur | 6-MicroFET (2x2) | Séries | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 123 mOhm @ 2.9A, 4.5V | Puissance - Max | 650mW |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | 6-VDFN Exposed Pad |
| Autres noms | FDMA2002NZTR | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 39 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 220pF @ 15V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 3nC @ 4.5V |
| type de FET | 2 N-Channel (Dual) | Fonction FET | Logic Level Gate |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V | Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.9A 650mW Surface Mount 6-MicroFET (2x2) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 2.9A |
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