FDMS3572
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| Référence | FDMS3572 |
|---|---|
| Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| La description | MOSFET N-CH 80V 8.8A POWER56 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.435 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | FDMS3572 | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 80V 8.8A POWER56 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 75179 pcs | Fiche technique | FDMS3572 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | 8-MLP (5x6), Power56 | Séries | UltraFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5 mOhm @ 8.8A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta), 78W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | 8-PowerWDFN |
| Autres noms | FDMS3572TR | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 13 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2490pF @ 40V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 6V, 10V | Tension drain-source (Vdss) | 80V |
| Description détaillée | N-Channel 80V 8.8A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-MLP (5x6), Power56 | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 8.8A (Ta), 22A (Tc) |
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