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FDMS8020

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Référence FDMS8020
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description MOSFET N-CH 30V 26A 8-PQFN
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 114657 pcs
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Référence FDMS8020 Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description MOSFET N-CH 30V 26A 8-PQFN État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 114657 pcs Fiche technique FDMS8020
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 8-PQFN (5x6) Séries PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 mOhm @ 26A, 10V Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 65W (Tc)
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte 8-PowerTDFN
Autres noms FDMS8020-ND
FDMS8020TR
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 34 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3800pF @ 15V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 61nC @ 10V
type de FET N-Channel Fonction FET -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V Tension drain-source (Vdss) 30V
Description détaillée N-Channel 30V 26A (Ta), 42A (Tc) 2.5W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6) Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 26A (Ta), 42A (Tc)

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