FDP045N10A-F102
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| Référence | FDP045N10A-F102 |
|---|---|
| Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| La description | MOSFET N-CH 100V 120A TO-220-3 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 800 pcs | 1600 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.244 | $1.111 | $0.911 | $0.667 | $0.622 | |
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | FDP045N10A-F102 | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 100V 120A TO-220-3 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 63196 pcs | Fiche technique | FDP/FDI045N10A_F102 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-220-3 | Séries | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 100A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 263W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-220-3 |
| Autres noms | FDP045N10A_F102 FDP045N10A_F102-ND |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 39 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5270pF @ 50V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 74nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 100V |
| Description détaillée | N-Channel 100V 120A (Tc) 263W (Tc) Through Hole TO-220-3 | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 120A (Tc) |
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