FGA25N120ANDTU
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| Référence | FGA25N120ANDTU |
|---|---|
| Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| La description | IGBT 1200V 40A 310W TO3P |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | FGA25N120ANDTU | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | IGBT 1200V 40A 310W TO3P | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4524 pcs | Fiche technique | FGA25N120AND |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 1200V |
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 25A | Condition de test | 600V, 25A, 10 Ohm, 15V |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 60ns/170ns | énergie de commutation | 4.8mJ (on), 1mJ (off) |
| Package composant fournisseur | TO-3P | Séries | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr) | 350ns | Puissance - Max | 310W |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Type d'entrée | Standard | type de IGBT | NPT |
| gate charge | 200nC | Description détaillée | IGBT NPT 1200V 40A 310W Through Hole TO-3P |
| Courant - Collecteur pulsée (Icm) | 75A | Courant - Collecteur (Ic) (max) | 40A |
| Numéro de pièce de base | FGA25N120A |
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