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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > FJN4311RBU

FJN4311RBU

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Référence FJN4311RBU
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 4522 pcs
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Référence FJN4311RBU Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 4522 pcs Fiche technique FJN4311R
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA Transistor Type PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur TO-92-3 Séries -
Résistance - Base (R1) 22 kOhms Puissance - Max 300mW
Emballage Bulk Package / Boîte TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Type de montage Through Hole Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Fréquence - Transition 200MHz
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 40V 100mA 200MHz 300mW Through Hole TO-92-3 Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA (ICBO) Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA

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