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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > FJNS4202RTA

FJNS4202RTA

FJNS4202RTA
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Référence FJNS4202RTA
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 4830 pcs
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Référence FJNS4202RTA Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 4830 pcs Fiche technique FJNS4202R
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type PNP - Pre-Biased
Package composant fournisseur TO-92S Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 10 kOhms Résistance - Base (R1) 10 kOhms
Puissance - Max 300mW Emballage Tape & Box (TB)
Package / Boîte TO-226-3, TO-92-3 Short Body Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition 200MHz Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 300mW Through Hole TO-92S
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA

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