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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > FJV3105RMTF

FJV3105RMTF

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Référence FJV3105RMTF
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 1525152 pcs
Référence Prix
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Référence FJV3105RMTF Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 1525152 pcs Fiche technique FJV3105RMolded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Transistor Type NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur SOT-23-3 (TO-236) Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 10 kOhms Résistance - Base (R1) 4.7 kOhms
Puissance - Max 200mW Emballage Cut Tape (CT)
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Autres noms FJV3105RMTFCT
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 13 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition 250MHz Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA Numéro de pièce de base FJV3105

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