FQI4N25TU
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| Référence | FQI4N25TU |
|---|---|
| Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| La description | MOSFET N-CH 250V 3.6A I2PAK |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | FQI4N25TU | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 250V 3.6A I2PAK | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4829 pcs | Fiche technique | FQB,FQI4N25 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | I2PAK (TO-262) | Séries | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.75 Ohm @ 1.8A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 3.13W (Ta), 52W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 250V |
| Description détaillée | N-Channel 250V 3.6A (Tc) 3.13W (Ta), 52W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262) | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 3.6A (Tc) |
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