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FS8M

FS8M
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Référence FS8M
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description DIODE GEN PURP 1KV 8A TO277-3
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 154265 pcs
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Référence FS8M Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description DIODE GEN PURP 1KV 8A TO277-3 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 154265 pcs Fiche technique FS8G - FS8M
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.1V @ 8A
Tension - inverse (Vr) (max) 1000V Package composant fournisseur TO-277-3
La vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Séries Automotive, AEC-Q101
Temps de recouvrement inverse (trr) 3.37µs Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-277, 3-PowerDFN Autres noms FS8MTR
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 23 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Type de diode Standard
Description détaillée Diode Standard 1000V 8A Surface Mount TO-277-3 Courant - fuite, inverse à Vr 5µA @ 1000V
Courant - Rectifié moyenne (Io) 8A Capacité à Vr, F 118pF @ 0V, 1MHz

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