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FSB660A

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Référence FSB660A
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description TRANS PNP 60V 2A SSOT-3
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 617669 pcs
Référence Prix
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Référence FSB660A Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description TRANS PNP 60V 2A SSOT-3 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 617669 pcs Fiche technique FSB660Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 200mA, 2A Transistor Type PNP
Package composant fournisseur 3-SSOT Séries -
Puissance - Max 500mW Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Autres noms FSB660A-ND
FSB660ATR
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 29 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Fréquence - Transition 75MHz
Description détaillée Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 2A 75MHz 500mW Surface Mount 3-SSOT Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 250 @ 500mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 100nA (ICBO) Courant - Collecteur (Ic) (max) 2A
Numéro de pièce de base FSB660

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