HUFA75545P3
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| Référence | HUFA75545P3 |
|---|---|
| Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| La description | MOSFET N-CH 80V 75A TO-220AB |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
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- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | HUFA75545P3 | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 80V 75A TO-220AB | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 5057 pcs | Fiche technique | TO220B03 Pkg DrawingHUFA75545P3, HUFA75545S3S |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-220AB | Séries | UltraFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 75A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 270W (Tc) |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | TO-220-3 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3750pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 235nC @ 20V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 80V |
| Description détaillée | N-Channel 80V 75A (Tc) 270W (Tc) Through Hole TO-220AB | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 75A (Tc) |
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