IRFR210BTM_FP001
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| Référence | IRFR210BTM_FP001 |
|---|---|
| Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| La description | MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | IRFR210BTM_FP001 | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 6004 pcs | Fiche technique | IRF(R,U)210B |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | D-Pak | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 1.35A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta), 26W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 225pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 200V |
| Description détaillée | N-Channel 200V 2.7A (Tc) 2.5W (Ta), 26W (Tc) Surface Mount D-Pak | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 2.7A (Tc) |
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