IRLR110ATF
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| Référence | IRLR110ATF |
|---|---|
| Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| La description | MOSFET N-CH 100V 4.7A DPAK |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | IRLR110ATF | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 100V 4.7A DPAK | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4856 pcs | Fiche technique | IRLR/U110A |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | D-Pak | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 440 mOhm @ 2.35A, 5V | Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta), 22W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 235pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 5V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 5V | Tension drain-source (Vdss) | 100V |
| Description détaillée | N-Channel 100V 4.7A (Tc) 2.5W (Ta), 22W (Tc) Surface Mount D-Pak | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 4.7A (Tc) |
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