KSD986OS
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| Référence | KSD986OS |
|---|---|
| Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| La description | TRANS NPN DARL 80V 1.5A TO-126 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | KSD986OS | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS NPN DARL 80V 1.5A TO-126 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4032 pcs | Fiche technique | KSD985-KSD986 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 80V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1mA, 1A | Transistor Type | NPN - Darlington |
| Package composant fournisseur | TO-126-3 | Séries | - |
| Puissance - Max | 1W | Emballage | Bulk |
| Package / Boîte | TO-225AA, TO-126-3 | Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Fréquence - Transition | - |
| Description détaillée | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 1.5A 1W Through Hole TO-126-3 | Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 4000 @ 1A, 2V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) | Courant - Collecteur (Ic) (max) | 1.5A |
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