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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - tableaux > MBT3946DW1T1

MBT3946DW1T1

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Référence MBT3946DW1T1
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT363
État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
In Stock 4013 pcs
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Référence MBT3946DW1T1 Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT363 État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible 4013 pcs Fiche technique MBT/SMBT3946DW1T1
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA Transistor Type NPN, PNP
Package composant fournisseur SC-88/SC70-6/SOT-363 Séries -
Puissance - Max 150mW Emballage Cut Tape (CT)
Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Autres noms MBT3946DW1T1OSCT
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition 300MHz, 250MHz Description détaillée Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 40V 200mA 300MHz, 250MHz 150mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V Courant - Collecteur Cutoff (Max) -
Courant - Collecteur (Ic) (max) 200mA Numéro de pièce de base MBT3946D

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