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MMUN2211LT3G

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OMRON AUTOMATION & SAFETYLes images sont fournies à titre indicatif.
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Référence MMUN2211LT3G
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 5986804 pcs
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Référence MMUN2211LT3G Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 5986804 pcs Fiche technique MUN(2,5)211, MMUN2211L, DTC114Exx, NSBC114EF3
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur SOT-23-3 (TO-236) Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 10 kOhms Résistance - Base (R1) 10 kOhms
Puissance - Max 246mW Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Autres noms MMUN2211LT3G-ND
MMUN2211LT3GOSTR
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 36 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA
Numéro de pièce de base MMUN22**L

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