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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > MUN2212T1

MUN2212T1

MUN2212T1
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Référence MUN2212T1
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
In Stock 4850 pcs
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Référence MUN2212T1 Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59 État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible 4850 pcs Fiche technique MUN/SMUN/NSVMUN22xxT1 Series
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur SC-59 Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 22 kOhms Résistance - Base (R1) 22 kOhms
Puissance - Max 338mW Emballage Cut Tape (CT)
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Autres noms MUN2212T1OSCT
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 338mW Surface Mount SC-59
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA Numéro de pièce de base MUN2212

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