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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > MUN2233T1

MUN2233T1

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Référence MUN2233T1
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
In Stock 4259 pcs
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Référence MUN2233T1 Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59 État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible 4259 pcs Fiche technique MUN/SMUN/NSVMUN22xxT1 Series
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur SC-59 Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 47 kOhms Résistance - Base (R1) 4.7 kOhms
Puissance - Max 338mW Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 338mW Surface Mount SC-59 Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA
Numéro de pièce de base MUN2233

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