MUN5312DW1T2G
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| Référence | MUN5312DW1T2G |
|---|---|
| Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| La description | TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 9000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.017 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | MUN5312DW1T2G | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 1426991 pcs | Fiche technique | MUN5312DW1, NSBC124EPDxx |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Package composant fournisseur | SC-88/SC70-6/SOT-363 | Séries | - |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 22 kOhms | Résistance - Base (R1) | 22 kOhms |
| Puissance - Max | 385mW | Emballage | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Délai de livraison standard du fabricant | 40 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Fréquence - Transition | - |
| Description détaillée | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 385mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 | Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max) | 500nA | Courant - Collecteur (Ic) (max) | 100mA |
| Numéro de pièce de base | MUN53**DW1 |
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- Partie#:
CMF6512M000JKEA - Fabricant:
Dale / Vishay - La description:
RES 12M OHM 1.5W 5% AXIAL - En stock:
71312