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NCP5351DR2G

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Référence NCP5351DR2G
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description IC DRIVER MOSFET DUAL 4A 8SOIC
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
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Référence NCP5351DR2G Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description IC DRIVER MOSFET DUAL 4A 8SOIC État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 4284 pcs Fiche technique NCP5351
Catégorie Circuits intégrés (ci) Tension - Alimentation 4.5 V ~ 6.5 V
Package composant fournisseur 8-SOIC Séries -
Rise / Fall Time (Typ) 8ns, 14ns Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Autres noms NCP5351DR2GOS
NCP5351DR2GOS-ND
NCP5351DR2GOSTR
Température de fonctionnement -30°C ~ 125°C (TJ) Nombre de conducteurs 2
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Tension logique - VIL, VIH 0.8V, 2V Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée Inverting, Non-Inverting Côté haut potentiel - Max (Bootstrap) 25V
Type de porte N-Channel MOSFET Configuration pilotée Half-Bridge
Description détaillée Half-Bridge Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 8-SOIC Current - Peak Output (Source, Évier) 4A, 4A
courant de charge Synchronous Numéro de pièce de base NCP5351

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