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NGTD17T65F2WP

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Référence NGTD17T65F2WP
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 46156 pcs
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Référence NGTD17T65F2WP Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 46156 pcs Fiche technique NGTD17T65F2
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 40A Condition de test -
Td (marche / arrêt) à 25 ° C - énergie de commutation -
Package composant fournisseur Die Séries -
Emballage Bulk Package / Boîte Die
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) Type de montage Surface Mount
Délai de livraison standard du fabricant 4 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée Standard type de IGBT Trench Field Stop
Description détaillée IGBT Trench Field Stop 650V Surface Mount Die Courant - Collecteur pulsée (Icm) 160A

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