NGTD17T65F2WP
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| Référence | NGTD17T65F2WP |
|---|---|
| Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| La description | IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 149 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.821 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | NGTD17T65F2WP | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 46156 pcs | Fiche technique | NGTD17T65F2 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) | 650V |
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 40A | Condition de test | - |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | - | énergie de commutation | - |
| Package composant fournisseur | Die | Séries | - |
| Emballage | Bulk | Package / Boîte | Die |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Délai de livraison standard du fabricant | 4 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Type d'entrée | Standard | type de IGBT | Trench Field Stop |
| Description détaillée | IGBT Trench Field Stop 650V Surface Mount Die | Courant - Collecteur pulsée (Icm) | 160A |
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