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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > NSBC144WF3T5G

NSBC144WF3T5G

NSBC144WF3T5G
OMRON AUTOMATION & SAFETYLes images sont fournies à titre indicatif.
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Référence NSBC144WF3T5G
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 522370 pcs
Référence Prix
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Référence NSBC144WF3T5G Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 522370 pcs Fiche technique MUN(2,5)237, DTC144Wxx, NSBC144WF3
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA Transistor Type NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur SOT-1123 Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 22 kOhms Résistance - Base (R1) 47 kOhms
Puissance - Max 254mW Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SOT-1123 Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 16 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 254mW Surface Mount SOT-1123
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA Numéro de pièce de base NSBC1*

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  • Partie#:NSBMC096VF-25
  • Fabricant:N/A
  • La description:IC CONTROLLER BURST MEM 132QFP
  • En stock:4999
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