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NSVEMD4DXV6T5G

NSVEMD4DXV6T5G
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Référence NSVEMD4DXV6T5G
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description TRANS NPN/PNP DUAL BRT SOT563
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 532877 pcs
Référence Prix
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Référence NSVEMD4DXV6T5G Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description TRANS NPN/PNP DUAL BRT SOT563 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 532877 pcs Fiche technique EMD4DXV6
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur SOT-563 Séries -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 47 kOhms Résistance - Base (R1) 47 kOhms, 10 kOhms
Puissance - Max 500mW Emballage Tape & Reel (TR)
Package / Boîte SOT-563, SOT-666 Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Délai de livraison standard du fabricant 16 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant Fréquence - Transition -
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA

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