NTD12N10T4G
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| Référence | NTD12N10T4G |
|---|---|
| Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| La description | MOSFET N-CH 100V 12A DPAK |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | NTD12N10T4G | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 100V 12A DPAK | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4015 pcs | Fiche technique | NTD12N10 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | DPAK | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165 mOhm @ 6A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms | NTD12N10T4GOS NTD12N10T4GOS-ND NTD12N10T4GOSTR |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 100V | Description détaillée | N-Channel 100V 12A (Ta) 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) Surface Mount DPAK |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 12A (Ta) |
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