NTD5862NT4G
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| Référence | NTD5862NT4G |
|---|---|
| Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| La description | MOSFET N-CH 60V 98A DPAK |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.682 | $0.604 | $0.477 | $0.37 | $0.292 | |
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | NTD5862NT4G | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 60V 98A DPAK | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 71428 pcs | Fiche technique | NTD5862N |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | DPAK | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7 mOhm @ 45A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 115W (Tc) |
| Emballage | Original-Reel® | Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Autres noms | NTD5862NT4GOSDKR | Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 17 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6000pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 82nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | Tension drain-source (Vdss) | 60V |
| Description détaillée | N-Channel 60V 98A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount DPAK | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 98A (Tc) |
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