NTH027N65S3F_F155
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| Référence | NTH027N65S3F_F155 |
|---|---|
| Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| La description | MOSFET N-CH 650V 27 MOHM TO247 P |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
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- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | NTH027N65S3F_F155 | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 650V 27 MOHM TO247 P | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 4941 pcs | Fiche technique | NTH027N65S3F |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 7.5mA |
| Vgs (Max) | ±30V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-247-3 | Séries | FRFET®, SuperFET® II |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27.4 mOhm @ 35A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 595W (Tc) |
| Package / Boîte | TO-247-3 | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7690pF @ 400V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 259nC @ 10V | type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 650V | Description détaillée | N-Channel 650V 75A (Tc) 595W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 75A (Tc) |
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- Partie#:
RT1210CRD0764R9L - Fabricant:
Yageo - La description:
RES SMD 64.9 OHM 0.25% 1/4W 1210 - En stock:
321227