NTMD4N03R2G
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| Référence | NTMD4N03R2G |
|---|---|
| Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| La description | MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.277 | $0.233 | $0.174 | $0.128 | $0.099 | |
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | NTMD4N03R2G | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 217874 pcs | Fiche technique | NTMD4N03R2 |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Package composant fournisseur | 8-SOIC | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 4A, 10V | Puissance - Max | 2W |
| Emballage | Cut Tape (CT) | Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Autres noms | NTMD4N03R2GOSCT | Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 32 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 20V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| type de FET | 2 N-Channel (Dual) | Fonction FET | Logic Level Gate |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V | Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 2W Surface Mount 8-SOIC |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 4A | Numéro de pièce de base | NTMD4N03 |
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