NTMFD4C85NT3G
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| Référence | NTMFD4C85NT3G |
|---|---|
| Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| La description | MOSFET 2N-CH 30V 8DFN |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | Get a quote | ||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | NTMFD4C85NT3G | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET 2N-CH 30V 8DFN | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 5310 pcs | Fiche technique | NTMFD4C85N |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Package composant fournisseur | 8-DFN (5x6) | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 20A, 10V | Puissance - Max | 1.13W |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | 8-PowerTDFN |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1960pF @ 15V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| type de FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical | Fonction FET | Standard |
| Tension drain-source (Vdss) | 30V | Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 15.4A, 29.7A 1.13W Surface Mount 8-DFN (5x6) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 15.4A, 29.7A |
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