NTMFS4C09NT1G
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| Référence | NTMFS4C09NT1G |
|---|---|
| Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| La description | MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.095 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | NTMFS4C09NT1G | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 228870 pcs | Fiche technique | NTMFS4C09N |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8 mOhm @ 30A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 760mW (Ta), 25.5W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | 8-PowerTDFN |
| Autres noms | NTMFS4C09NT1G-ND NTMFS4C09NT1GOSTR |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 42 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1252pF @ 15V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 10.9nC @ 4.5V |
| type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | Tension drain-source (Vdss) | 30V |
| Description détaillée | N-Channel 30V 9A (Ta) 760mW (Ta), 25.5W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 9A (Ta) |
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- Partie#:
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11298