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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > NTMS4101PR2

NTMS4101PR2

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Référence NTMS4101PR2
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description MOSFET P-CH 20V 6.9A 8-SOIC
État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
In Stock 162871 pcs
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Référence NTMS4101PR2 Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description MOSFET P-CH 20V 6.9A 8-SOIC État sans plomb / État RoHS Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible 162871 pcs Fiche technique NTMS4101P
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 450mV @ 250µA
Vgs (Max) ±8V La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur 8-SOIC Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19 mOhm @ 6.9A, 4.5V Dissipation de puissance (max) 1.38W (Tj)
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms NTMS4101PR2OS Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Contains lead / RoHS non-compliant Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3200pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 4.5V type de FET P-Channel
Fonction FET - Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss) 20V Description détaillée P-Channel 20V 6.9A (Ta) 1.38W (Tj) Surface Mount 8-SOIC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.9A (Ta)

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