NTZD3156CT2G
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| Référence | NTZD3156CT2G |
|---|---|
| Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| La description | MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
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- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | NTZD3156CT2G | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 5249 pcs | Fiche technique | NTZD3156C |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Package composant fournisseur | SOT-563 | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 540mA, 4.5V | Puissance - Max | 250mW |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | SOT-563, SOT-666 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 72pF @ 16V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 4.5V |
| type de FET | N and P-Channel | Fonction FET | Logic Level Gate |
| Tension drain-source (Vdss) | 20V | Description détaillée | Mosfet Array N and P-Channel 20V 540mA, 430mA 250mW Surface Mount SOT-563 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 540mA, 430mA |
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