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NVJD5121NT1G

NVJD5121NT1G
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Référence NVJD5121NT1G
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 795494 pcs
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Référence NVJD5121NT1G Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 795494 pcs Fiche technique NTJD5121N, NVJD5121N
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Package composant fournisseur SC-88/SC70-6/SOT-363 Séries -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6 Ohm @ 500mA, 10V Puissance - Max 250mW
Emballage Cut Tape (CT) Package / Boîte 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Autres noms NVJD5121NT1GOSCT Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 46 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 26pF @ 20V Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.9nC @ 4.5V
type de FET 2 N-Channel (Dual) Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 60V Description détaillée Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 295mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 295mA

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AMI Semiconductor / ON Semiconductor NVJD5121NT1G NVJD5121NT1G distributeur Fournisseur NVJD5121NT1G NVJD5121NT1G prix NVJD5121NT1G Download Datasheet NVJD5121NT1G Datasheet Actions NVJD5121NT1Gacheter NVJD5121NT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor NVJD5121NT1G ON Semiconductor NVJD5121NT1G Aptina / ON Semiconductor NVJD5121NT1G Catalyst Semiconductor / ON Semiconductor NVJD5121NT1G PulseCore Semiconductor / ON Semiconductor NVJD5121NT1G Sanyo Semiconductor / ON Semiconductor NVJD5121NT1G