NVMFD5C650NLWFT1G
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| Référence | NVMFD5C650NLWFT1G |
|---|---|
| Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| La description | MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.369 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | NVMFD5C650NLWFT1G | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 97441 pcs | Fiche technique | NVMFD5C650NL |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 98µA |
| Package composant fournisseur | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) | Séries | Automotive, AEC-Q101 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 20A, 10V | Puissance - Max | 3.5W (Ta), 125W (Tc) |
| Emballage | Tape & Reel (TR) | Package / Boîte | 8-PowerTDFN |
| Autres noms | NVMFD5C650NLWFT1G-ND NVMFD5C650NLWFT1GOSTR |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 50 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2546pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
| type de FET | 2 N-Channel (Dual) | Fonction FET | Standard |
| Tension drain-source (Vdss) | 60V | Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 21A (Ta), 111A (Tc) 3.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 21A (Ta), 111A (Tc) |
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