NVTFS5116PLTWG
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| Référence | NVTFS5116PLTWG |
|---|---|
| Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| La description | MOSFET P-CH 60V 14A 8WDFN |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.422 | $0.374 | $0.296 | $0.229 | $0.181 | |
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | NVTFS5116PLTWG | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET P-CH 60V 14A 8WDFN | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 131836 pcs | Fiche technique | NVTFS5116PL |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V | La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | 8-WDFN (3.3x3.3) | Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 7A, 10V | Dissipation de puissance (max) | 3.2W (Ta), 21W (Tc) |
| Emballage | Cut Tape (CT) | Package / Boîte | 8-PowerWDFN |
| Autres noms | NVTFS5116PLTWGOSCT | Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount | Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant | 50 Weeks | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1258pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| type de FET | P-Channel | Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | Tension drain-source (Vdss) | 60V |
| Description détaillée | P-Channel 60V 6A (Ta) 3.2W (Ta), 21W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3) | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 6A (Ta) |
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