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RHRP3060-F102

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Référence RHRP3060-F102
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description DIODE GEN PURP 600V 30A TO220-2
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 89337 pcs
Référence Prix
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Référence RHRP3060-F102 Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description DIODE GEN PURP 600V 30A TO220-2 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 89337 pcs Fiche technique RHRP3060
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - directe (Vf) (max) @ Si 2.1V @ 30A
Tension - inverse (Vr) (max) 600V Package composant fournisseur TO-220-2
La vitesse Fast Recovery = 200mA (Io) Séries -
Temps de recouvrement inverse (trr) 45ns Emballage Tube
Package / Boîte TO-220-2 Autres noms RHRP3060-F102-ND
RHRP3060-F102OS
RHRP3060_F102
RHRP3060_F102-ND
Température d'utilisation - Jonction -65°C ~ 175°C Type de montage Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited) Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Type de diode Standard Description détaillée Diode Standard 600V 30A Through Hole TO-220-2
Courant - fuite, inverse à Vr 250µA @ 600V Courant - Rectifié moyenne (Io) 30A
Capacité à Vr, F -

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