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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > SMMUN2238LT1G

SMMUN2238LT1G

SMMUN2238LT1G
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Référence SMMUN2238LT1G
Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT-23
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
In Stock 1043350 pcs
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Référence SMMUN2238LT1G Fabricant AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT-23 État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible 1043350 pcs Fiche technique MUNx238L, MMUN2238L, DTC123T, NSBC123TF3
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA Transistor Type NPN - Pre-Biased
Package composant fournisseur SOT-23-3 (TO-236) Séries -
Résistance - Base (R1) 2.2 kOhms Puissance - Max 246mW
Emballage Tape & Reel (TR) Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Type de montage Surface Mount Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant 33 Weeks Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA Courant - Collecteur (Ic) (max) 100mA

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