ALD1110ESAL
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| Référence | ALD1110ESAL |
|---|---|
| Fabricant | Advanced Linear Devices, Inc. |
| La description | MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Référence Prix (En dollars américains) | 50 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $1.565 | |||||
- Paramètre de produit
- Fiche technique
Product parameter
| Référence | ALD1110ESAL | Fabricant | Advanced Linear Devices, Inc. |
|---|---|---|---|
| La description | MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | 20366 pcs | Fiche technique | ALD1108,10E |
| Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets | Vgs (th) (Max) @ Id | 1.01V @ 1µA |
| Package composant fournisseur | 8-SOIC | Séries | EPAD® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 Ohm @ 5V | Puissance - Max | 600mW |
| Emballage | Tube | Package / Boîte | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Délai de livraison standard du fabricant | 8 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2.5pF @ 5V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | - | type de FET | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| Fonction FET | Standard | Tension drain-source (Vdss) | 10V |
| Description détaillée | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Matched Pair 10V 600mW Surface Mount 8-SOIC | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | - |
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